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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
94
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
94
读取速度,GB/s
17.4
14.7
写入速度,GB/s
10.9
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1506
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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