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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 -40% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
25
读取速度,GB/s
16.2
13.7
写入速度,GB/s
10.7
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2644
2792
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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