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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
54
左右 61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
54
读取速度,GB/s
16.0
10.4
写入速度,GB/s
11.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2259
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
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