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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
比较
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
总分
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
46
读取速度,GB/s
13.2
15.9
写入速度,GB/s
7.8
9.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2001
2632
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
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