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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
15.3
16.6
写入速度,GB/s
9.8
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2854
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905584-023.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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