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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
16.7
13.7
写入速度,GB/s
10.0
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2967
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905584-023.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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