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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
31
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
22
读取速度,GB/s
16.8
16.5
写入速度,GB/s
10.8
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
2809
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
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