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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
51
左右 -89% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
27
读取速度,GB/s
9.8
16.5
写入速度,GB/s
8.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3061
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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