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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
27
读取速度,GB/s
16.8
15.0
写入速度,GB/s
10.8
10.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
2288
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
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