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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
37
读取速度,GB/s
16.4
13.6
写入速度,GB/s
11.0
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3215
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
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