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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
26
读取速度,GB/s
4,241.0
14.4
写入速度,GB/s
1,950.7
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2846
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
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