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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
16.4
18.3
写入速度,GB/s
11.0
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3535
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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