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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.0
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
39
读取速度,GB/s
16.4
14.9
写入速度,GB/s
11.0
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3233
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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