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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
16.4
15.5
写入速度,GB/s
11.0
12.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3090
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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