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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
16.4
12.8
写入速度,GB/s
11.0
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2601
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
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