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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
16.4
15.6
写入速度,GB/s
11.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3093
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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