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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
5.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 -26% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
27
读取速度,GB/s
16.8
11.2
写入速度,GB/s
11.3
5.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
1774
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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