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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
34
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
34
读取速度,GB/s
14.9
14.8
写入速度,GB/s
10.6
9.7
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2583
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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