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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.8
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
17.6
写入速度,GB/s
11.5
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3687
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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