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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
比较
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
35
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
22
读取速度,GB/s
15.7
18.4
写入速度,GB/s
11.8
13.5
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2767
3265
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
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Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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