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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston K821PJ-MIH 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston K821PJ-MIH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston K821PJ-MIH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
74
左右 -118% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
34
读取速度,GB/s
4,178.4
14.6
写入速度,GB/s
2,201.1
11.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2792
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
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