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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
53
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.7
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
53
读取速度,GB/s
18.2
15.6
写入速度,GB/s
11.5
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2755
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
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Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
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SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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