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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.8
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
18.2
19.8
写入速度,GB/s
11.5
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3364
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Mushkin 994083 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
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