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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston XCCT36-MIE 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Kingston XCCT36-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XCCT36-MIE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
16.9
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
18.2
17.9
写入速度,GB/s
11.5
16.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3795
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
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