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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
18.2
11.7
写入速度,GB/s
11.5
6.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
1832
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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