RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
18.2
15.8
写入速度,GB/s
11.5
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2417
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
报告一个错误
×
Bug description
Source link