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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,833.8
15.8
写入速度,GB/s
2,123.3
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2417
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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