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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
73
读取速度,GB/s
18.2
15.1
写入速度,GB/s
11.5
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
1724
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
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