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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
18.2
16.8
写入速度,GB/s
11.5
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2641
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
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