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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

总分
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

总分
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 37
    左右 43% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 16
    测试中的平均数值
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB 需要考虑的原因
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.6 left arrow 12.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    21 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 16.0
  • 写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 12.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3130 left arrow 2808

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较

Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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