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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
25
读取速度,GB/s
17.4
13.3
写入速度,GB/s
12.2
6.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2003
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB RAM的比较
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
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Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
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