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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
比较
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
总分
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
19.4
16.1
写入速度,GB/s
15.8
10.5
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3614
2696
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAM的比较
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
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