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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905703-008.A00G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
13.8
16.3
写入速度,GB/s
8.4
13.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2978
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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