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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
比较
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
24
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
37
读取速度,GB/s
24.0
14.7
写入速度,GB/s
20.0
11.2
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
4156
2698
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
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