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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
比较
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
总分
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
24
左右 8% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
24
读取速度,GB/s
14.9
15.3
写入速度,GB/s
13.5
11.5
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3679
2744
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
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