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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
49
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
25
读取速度,GB/s
4,577.1
15.5
写入速度,GB/s
2,066.5
10.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2832
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
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