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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
57
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
57
读取速度,GB/s
4,577.1
15.1
写入速度,GB/s
2,066.5
10.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2276
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905599-025.A00G 8GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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