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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Panram International Corporation M424051 4GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Panram International Corporation M424051 4GB

Panram International Corporation M424051 4GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    49 left arrow 97
    左右 49% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
Panram International Corporation M424051 4GB 需要考虑的原因
Panram International Corporation M424051 4GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 2,066.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 97
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 11.2
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 5.5
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 1270

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Panram International Corporation M424051 4GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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内存RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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内存RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
内存RAM