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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
62
左右 -121% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
28
读取速度,GB/s
3,556.6
18.6
写入速度,GB/s
1,843.6
15.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3716
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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