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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
13.4
14.6
写入速度,GB/s
9.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2959
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