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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
差异
规格
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
62
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
28
读取速度,GB/s
7.4
18.6
写入速度,GB/s
5.9
14.4
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1612
3491
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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