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Inmos + 256MB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB

Inmos + 256MB vs A-DATA Technology DDR3 1866 8GB

总分
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB

差异 规格 评论

差异

Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 40
    左右 25% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    16800 left arrow 10600
    左右 1.58% 更高的带宽
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.6 left arrow 11.5
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    30 left arrow 40
  • 读取速度，GB/s
    11.5 left arrow 14.6
  • 写入速度，GB/s
    9.1 left arrow 9.0
  • 内存带宽，mbps
    16800 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2318 left arrow 2436

Inmos + 256MB RAM的比较

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB RAM的比较

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Inmos + 256MB
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A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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内存RAM
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Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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内存RAM
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内存RAM
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内存RAM
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内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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