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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
10.1
17.4
写入速度,GB/s
6.2
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1411
3398
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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