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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
71
左右 63% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
71
读取速度,GB/s
11.9
16.2
写入速度,GB/s
7.6
8.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
1979
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
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Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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