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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Kingston KMKYF9-HYA 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
11.9
16.9
写入速度,GB/s
7.6
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
2899
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
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