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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
11.9
16.4
写入速度,GB/s
7.6
12.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
3046
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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