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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.9
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
32
读取速度,GB/s
11.9
10.8
写入速度,GB/s
7.6
8.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
2318
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
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SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB RAM的比较
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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