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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
58
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
34
读取速度,GB/s
4,241.0
15.8
写入速度,GB/s
1,950.7
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2830
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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