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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.6
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
11.9
14.7
写入速度,GB/s
7.6
7.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
2476
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
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