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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
5,987.5
13.7
写入速度,GB/s
2,160.7
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2792
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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